近日，拓中科技团队传来重要消息：其研发的晶圆制备工艺成功适配多台国产设备，包括国产深硅刻蚀机、原子层沉积设备等，实现核心装备国产化率超60%，打破国外设备对MEMS传感器制造的垄断，大幅降低工艺成本。
长期以来，我国MEMS传感器制造领域的高端设备依赖进口，如深硅刻蚀机、薄膜沉积设备等，不仅采购成本高，且售后维护、参数调试受限于国外厂商，制约产业发展。
拓中科技团队针对这一问题，在工艺研发初期就注重与国产设备厂商合作，联合上海微电子、中微公司等企业，开展设备参数定制与工艺适配。经过半年攻关，团队成功将自主研发的伪Bosch刻蚀工艺适配国产深硅刻蚀机，通过调整射频功率、气体流量控制算法，使刻蚀深宽比、侧壁粗糙度等指标达到进口设备水平；同时，将微米级燥粉固体多孔结构的制备工艺与国产原子层沉积设备结合，解决粉末团聚、薄膜均匀性等问题，设备利用率提升30%。据测算，采用国产设备后，工艺整体成本下降18%，设备维护周期缩短至7天，较进口设备的15天大幅提升效率。
目前，该工艺已在配备国产装备的生产线投入运行，产品通过必维信诺检测，8英寸晶圆的键合强度、热稳定性等指标全部达标。团队表示，未来将继续深化与国产设备厂商的合作，推动更多核心装备适配，助力我国半导体产业链自主可控。（张思怡/文）
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